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元件参数资料
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参数目录33420
> MMBT8099LT1G TRANS GP SS NPN 80V SOT23
型号:
MMBT8099LT1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS GP SS NPN 80V SOT23
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
MMBT8099LT1G PDF
产品变化通告
Copper Wire Change 19/May/2010
产品目录绘图
Transistor SOT-23-3 Pkg
标准包装
10
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
400mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大)
100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
100 @ 1mA,5V
功率 - 最大
225mW
频率 - 转换
150MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3(TO-236)
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1560 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
MMBT8099LT1GOSCT
查看MMBT8099LT1G代理商
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